Samsung 990 M.2 PCI Express 4.0 V-NAND
Part Number: MZ-V9V2T0BW
EAN: 8806099020705
Disponibilité
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Entrepôt externe 05
Prix
H.T. 1 385,31 zł
T.T.C. (23% VAT) 1 703,93 zł
Donnee de base
Nom de l'articleSamsung 990 M.2 PCI Express 4.0 V-NAND
Part NumberMZ-V9V2T0BW
Tailles des colis (HxWxL)2 x 80 x 22 mm
Poids brut0,10 kg
Marchés disponibles
  • UA
  • IE
  • GB
  • CH
  • PL
  • DE
  • ES
  • FR
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Poids et dimensions
Hauteur
  • 22,15 millimeter
Largeur
  • 80,15 millimeter
Profondeur
  • 2,38 millimeter
Puissance
Tension de fonctionnement
  • 3,30 volt
Consommation électrique (idle)
  • 0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
  • 3,00 mW
Consommation électrique (Ecriture)
  • 3,80 W
Consommation électrique (Lecture)
  • 4,30 W
Conditions environnementales
Température d'opération
  • 0 - 70
Choc durant le fonctionnement
  • 1500 G
Informations sur l'emballage
Type d'emballage
  • Boîte
Caractéristiques
Type de mémoire
  • V-NAND
Capacité du Solid State Drive (SSD)
  • 2000,00 GB
Interface
  • PCI Express 4.0
Algorithme de sécurité soutenu
  • 256-bit AES
  • TCG Opal 2.0
Support S.M.A.R.T.
Support TRIM
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Révision CEM PCI Express
  • 4.0
Flux de données d'interface PCI Express
  • x4
Écriture aléatoire (4KB)
  • 1200000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
  • 850000 IOPS
Taille du SSD M.2
  • 2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel
NVMe
Vitesse d'écriture
  • 6450,00 MB/s
Vitesse de lecture
  • 7250,00 MB/s
Facteur de forme SSD
  • M.2
composant pour
  • PC
Temps moyen entre pannes
  • 1500000,00 Hr.
Version NVMe
  • 2.0
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Samsung SSD Interne 990 NVMe™ PCIe® 4.0 2To. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7250 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6450 Mo/s, composant pour: PC